| 词条 | 金属氧化物半导体集成电路 |
| 释义 | 金属氧化物半导体集成电路拼音jīn shǔ yǎng huà wù bàn dǎo tǐ jí chéng diàn lù 注音ㄐ一ㄣ ㄕㄨˇ 一ㄤˇ ㄏㄨㄚˋ ㄨˋ ㄅㄢˋ ㄉㄠˇ ㄊ一ˇ ㄐ一ˊ ㄔㄥˊ ㄉ一ㄢˋ ㄌㄨˋ 词语解释⒈ 简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低，但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路（cmos）。应用广泛。 词语组词
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金属氧化物半导体集成电路拼音jīn shǔ yǎng huà wù bàn dǎo tǐ jí chéng diàn lù 注音ㄐ一ㄣ ㄕㄨˇ 一ㄤˇ ㄏㄨㄚˋ ㄨˋ ㄅㄢˋ ㄉㄠˇ ㄊ一ˇ ㄐ一ˊ ㄔㄥˊ ㄉ一ㄢˋ ㄌㄨˋ 词语解释⒈ 简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低，但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路（cmos）。应用广泛。 词语组词
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